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硅片洗濯剂的洗濯体例

日期:2019/3/8 14:35:36 | 人气:218 | TAG

硅片洗濯剂普遍利用于光伏,电子等行业硅片洗濯;由于硅片在运输进程中会有所净化,外表清洁度不是很高,对行将停止的侵蚀与刻蚀发生很大的影响,以是起首要对硅片外表停止一系列的洗濯操纵。洗濯的普通思绪起首是去除外表的无机沾污,而后消融氧化膜,由于氧化层是“沾污陷进”,会引发内涵缺点;再去除颗粒、金属等,同时使硅片的外表钝化。

RCA洗濯法

RCA洗濯法又称产业规范湿法洗濯工艺,是由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世纪60年月提出后,由此得名。

RCA湿法洗濯由两种差别的化学溶液构成,首要洗液成份见表2.1,表2.2,表2.3。

SPM具备很高的金属氧化能力,可将金属氧化后溶于洗濯液中,并能将无机物氧化天生二氧化碳和水。用SPM洗濯硅片能够去除外表的种无机沾污和局部金属,当沾污出格严峻时,难以去除清洁。

DHF(HF),能够去除硅片外表的天然氧化膜,同时按捺氧化膜的构成。易去除硅外表的Al、Fe、Zn、Ni等金属,也能够去除天然氧化膜上的氢氧化物。在天然那氧化膜被侵蚀掉时,硅片几近不被侵蚀。

根本的RCA洗濯剂配方

SC-1洗濯液是能去除颗粒和无机物资的碱性溶液。由于过氧化氢为强氧化剂,能氧化硅片外表和颗粒。颗粒上的氧化层能供给消失机制,割裂并消融颗粒,粉碎颗粒和硅片外表之间的附出力,而离开硅外表。过氧化氢的氧化效应也在硅片外表构成一个掩护层,禁止颗粒从头粘附在硅片外表。随后将硅片放入到10%的HF溶液中浸泡2分钟,能够将硅片外表天然天生的氧化膜去除并按捺氧化膜再次构成,同时HF酸还能够将附着在氧化膜上的金属净化物消融掉。

SC-2湿法洗濯工艺用于去除硅片外表的金属。用高氧化能力和低PH值的溶液,能力去除外表的金属粘污。此时,金属被氧化成为离子并溶于酸液中,金属和无机物粘污中的电子被洗濯液俘获并氧化。是以电离的金属溶于溶液中,而无机杂质被分化。这便是RCA洗濯体例的机理。持续用HF在室温下洗濯硅片2分钟,最初用去离子水超声洗濯数次去除残留的洗液。

RCA洗濯剂配方

改良的RCA洗濯工艺溶液配比

RCA-1(H2O/NH4OH/H2O2)型洗液:硅片外表的天然氧化层(SiO2)和Si被NH4OH侵蚀,是以附着在硅片外表的颗粒便分离于洗濯液中,从而去除外表的颗粒。在NH4OH侵蚀硅外表的同时,H2O2又在氧化硅外表构成新的氧化膜。

RCA-2(H2O/HCl/H2O2):用于撤除硅片外表的Na、Fe、Mg等金属沾污,在室温下就能够撤除Fe和Zn。

改良的RCA洗濯剂配方

HF/O3洗濯法

HF/O3槽式洗濯法

由于臭氧的复原电势比硫酸、盐酸、双氧水都高,是以用臭氧超清水去除无机物及金属的体例,效力比用传统的SC、SPM、RCA等高。另外,该体例在室温下洗濯,不必停止废液处置,是以比传统体例据有绝大上风。

德国ASTEC公司设想了一套基于HF/O3洗濯的工艺,称为ACD。该法由洗濯和枯燥两局部构成,普遍用于Φ300mm硅片的洗濯。洗濯步骤:洗濯—纯水冲刷—枯燥,可同时插手纯水、HF、O3、外表活性剂,超声波洗濯。

HF/O3单片洗濯法

日本索尼公司研制的HF/O3单片扭转式洗濯法,能够有用去除硅外表的无机沾污、无机沾污、金属沾污等。此装备上有三路供液体系,可同时将HF酸、消融油臭氧的超纯水、超纯水供给到硅片中间。在此进程中,起首将HF酸、消融油臭氧的超纯水瓜代供给到硅片中间,每种试剂供给约10s瓜代一次,接着供给纯水停止冲刷。最初用扭转枯燥法对硅片停止枯燥,为防止扭转枯燥法给硅片外表带来水迹,能够改用氮气吹。

热态洗硅成膜剂

热态洗硅成膜剂,包罗A剂和B剂,A剂包罗强碱性催化剂5%~35%、无机溶剂65%~95%,显色剂微量,质料总和为100%;B剂包罗阐发纯磷酸三钠03%~3%、阐发纯联氨0.05%~2%,与两种无机溶剂,其质料总和为100%;利用时由A剂和B剂根据体积比1:10的比例夹杂利用,夹杂后溶液比重为1.008g/ml~1.031g/ml。


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